• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Асимметричное поле рассеяния

Асимметричное поле рассеяния
Для ослабления нежелательного эффекта, связанного с отрицательным полем рассеяния, необходимо уменьшить его напряженность. Для этого предложена тонкопленочная головка, распределение поля рассеяния которой асимметрично относительно плоскости, параллельной полюсным наконечникам и проходящей через центр рабочего зазора. В такой головке на один из тонкопленочных полюсных наконечников наносятся параллельные ему дополнительные пленочные слои, разделенные немагнитными прослойками (рис. 4.8, а). Толщина немагнитных слоев выбирается такой, чтобы магнитная связь между полюсным наконечником и дополнительными магнитными слоями была как можно слабее. Магнитная проницаемость дополнительных слоев должна быть высокой. Их можно напылять из того же материала, что и основные полюсные наконечники. Однако поле анизотропии дополнительных слоев должно быть меньше поля анизотропии полюсных наконечников.

При пропускании управляющего тока через электропроводящую обмотку происходит намагничивание тонкопленочных полюсных наконечников. Каждый дополнительный слой выполняет две функции: когда не насыщен, он пропускает магнитный поток, а при насыщении оказывает экранирующее действие.

Тонкопленочные магнитные головки с асимметричной структурой имеют такое распределение поля рассеяния, при котором его область отрицательной напряженности у полюсного наконечника с



Рис 4.8. Распределение поля рассеяния асимметричных полюсных наконечников (а) и горизонтальная составляющая Нх = f(x) (б) симметричной (1) и асимметричной (2) тонкопленочных магнитных головок (стрелками указаны направления движения носителя)

дополнительными магнитными слоями уходит за пределы фронтальной плоскости и, следовательно, не может взаимодействовать с магнитным носителем при записи. Чтобы при этом отрицательное поле другого полюсного наконечника без дополнительных слоев не влияло на носитель, необходимо выбрать направление движения носителя, при котором полюсный наконечник с дополнительными слоями остается позади рабочего зазора (см. рис. 4.8, а).

С помощью асимметричной структуры можно получить распределение поля рассеяния тонкопленочной головки с одной областью отрицательной напряженности горизонтальной составляющей вблизи первого (по отношению к движению носителя информации) полюсного наконечника.

Для определения оптимальных геометрических параметров: толщины полюсных наконечников р1 и р2, рабочего зазора g, толщины дополнительных слоев l1—l3 и расстояний d1—d3 - необходимо рассчитать конфигурацию поля рассеяния как функцию тока записи. Асимметричная структура тонкопленочных магнитных головок способствует искривлению силовых линий поля рассеяния - распределение его становится асимметричным относительно оси Оу (см. рис. 4.8, а).

Распределение горизонтальной составляющей поля рассеяния тонкопленочной головки с симметричной и асимметричной структурами показано соответственно на рис. 4.8, б (кривые 1 и 2).

Вычислительные машины на базе электронных ламп

Новая модификация вычислительных машин на базе электронных ламп работала в тысячу раз быстрее. В основу разработки следующей...

читать далее

Создание модификаций транзистора

Совершенствование различных полупроводниковых приборов способствовало развитию микроэлектронных технологий...

читать далее

Мезоскопические структуры

В электронных приборах с размерами активных областей менее 100 нм начинают проявляться квантовые эффекты, так как размеры...

читать далее