• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Динамика поля рассеяния

Для достижения высокой информационной плотности на высококоэрцитивном носителе нужна магнитная головка, способная генерировать сравнительно сильное и с большим градиентом поле записи. Этому требованию удовлетворяют тонкопленочные магнитные головки, магнитопровод которых изготовлен из материала с большой магнитной индукцией насыщения. Один из способов усиления поля записи - увеличение толщины полюсных наконечников - позволяет исключить преждевременное насыщение магнитопровода тонкопленочной головки.

Улучшение частотных свойств магнитной головки и увеличение линейной плотности записи способствуют повышению скорости обработки информации. Во многих магнитных накопителях на сравнительно высокой частоте при высокой плотности записи для количественного определения поля записи необходимо учитывать влияние вихревых потоков.

Искажения магнитного поля записи - поля рассеяния тонкопленочных магнитных головок - связано с динамическими процессами намагничивания магнитопровода. Путем зондирования с помощью электронно-лучевой томографии поля рассеяния тонкопленочных магнитных головок удалось получить динамическую картину его распределения. Магнитопровод исследуемых головок изготавливался из тонкопленочного пермаллоевого материала с магнитной индукцией насыщения 1,0 Тл, полем анизотропии 400 А/м и удельным электрическим сопротивлением 16 мкОм*см. Исследовались две разновидности головок: в одной общая толщина полюсных наконечников вместе с рабочим зазором (0,4 мкм) равнялась 3,4 мкм, в другой - 7,0 мкм.

Кроме того, исследовалась тонкопленочная магнитная головка с магнитопроводом из аморфного материала кобальт-тантал-цирконий с магнитной индукцией насыщения 1,3 Тл, почти нулевой магнитострикцией и полем анизотропии около 400 А/м. Сравнительно небольшое поле анизотропии такого материала достигалось при его термообработке в магнитном поле, ориентированном перпендикулярно оси легкого намагничивания. Удельное электрическое сопротивление его составляло примерно 90 мкОм*см. Общая толщина полюсных наконечников вместе с рабочим зазором (0,4 мкм) равнялась 4,6 мкм.

В процессе электронно-лучевой томографии электронный луч диаметром менее 0,1 мкм фокусировался на рабочую поверхность магнитной головки и зондировал ее в плоскости, отстоящей на 1 мкм от торцевых поверхностей тонкопленочных полюсных наконечников. При этом осуществлялась синхронизация импульсного электронного пучка и переменного тока, пропускаемого через обмотку головки и возбуждающего ее магнитопровод.

Определялась зависимость напряженности магнитного поля рассеяния и его распределения от частоты тока записи. Оказалось, что напряженность поля рассеяния прямо пропорциональна амплитуде тока записи. При амплитуде тока, равной 20 мА, магнитное состояние магнитопровода близко к насыщению, соответствующему напряженности поля рассеяния около 47 кА/м. При меньшей амплитуде тока записи ухудшение частотных свойств начинается на меньшей частоте. Так, при амплитуде тока записи не более 7,5 мА, напряженность поля рассеяния остается неизменной при увеличении частоты до 10 МГц. В то же время, при амплитуде тока 15 мА верхний предел частотного диапазона возрастает приблизительно до 20 МГц. Такие частотные свойства тонкопленочной магнитной головки обусловлены в основном намагничиванием полюсных наконечников при различных скоростях движения доменных границ. При относительно небольшой амплитуде тока записи под влиянием вихревых токов движение доменных границ замедляется, что наиболее ощутимо на частоте выше 10 МГц. При большей амплитуде тока записи, соответствующей относительно сильному магнитному полю, замедление движения доменных границ существенно проявляется на частоте выше 20 Мгц.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее