• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Исследование характеристик тонкопленочных головок

Исследование характеристик тонкопленочных головок
Для 30-витковой тонкопленочной магнитной головки с общей толщиной пермаллоевых полюсных наконечников 7 мкм характерны другие частотные зависимости напряженности поля рассеяния. При амплитуде тока 20 мА на частоте 1 МГц максимальная напряженность поля рассеяния составляет приблизительно 96 кА/м, что примерно в два раза больше, чем для тонкопленочной магнитной головки с меньшим числом витков и с более тонкими полюсными наконечниками. Однако с увеличением частоты до 30 МГц напряженность поля рассеяния монотонно уменьшается примерно на 30 % при амплитуде тока 20 мА и приблизительно наполовину при 7,5 мА. Это можно объяснить усилением влияния вихревых токов с увеличением толщины тонкопленочных полюсных наконечников. Кроме того, в толстых полюсных наконечниках образуется более сложная доменная структура, которая также ухудшает частотную характеристику.

Лучшими частотными характеристиками обладает тонкопленочная магнитная головка с кобальт-тантал-циркониевым магнитопроводом. Даже при сравнительно небольшой амплитуде тока записи каких-либо существенных изменений напряженности поля рассеяния головки при увеличении частоты с 1 до 30 МГц не наблюдалось. Такой результат можно объяснить тем, что благодаря относительно большому удельному электрическому сопротивлению ко- бальт-тантал-циркониевого магнитопровода (которое почти в 5 раз больше аналогичного сопротивления пермаллоевого магнитопровода) вихревые токи заметно ослабевают и практически не влияют на процесс намагничивания полюсных наконечников.

Приведенные экспериментальные данные соответствуют плоскости, находящейся на расстоянии 1 мкм от торцевых поверхностей полюсных наконечников. При проведении измерений на расстоянии 0,1 мкм от торцевых поверхностей наконечников зависимости напряженности поля рассеяния от частоты и амплитуды тока записи получены аналогичные результаты.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее


Таблица совместимости картриджей. Заправка и восстановление картриджей
copygroup.ru