• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Реакция магниторезистивного элемента на поле рассеяния

Под действием поля рассеяния рабочего слоя носителя записи информации изменяется магнитное состояние магниторезистивного элемента, который либо соприкасается с магнитным носителем при контактном способе записи, либо находится на небольшом расстоянии (высоте плавания) от него в режиме плавания. С удалением от поверхности рабочего слоя напряженность поля рассеяния уменьшается. Поэтому всегда стремятся обеспечить условия, при которых высота плавания минимальна. Такие условия особенно важны при повышении плотности записи, когда уменьшается область локализации поля рассеяния, соответствующего переходу намагниченности. В современных магнитных накопителях информации высота плавания составляет менее 0,1 мкм. Вполне понятно, что при контактном способе записи воздействие поля рассеяния магнитного носителя на магниторезистивный элемент максимально.

Вектор намагниченности М магниторезистивного элемента, находящегося в поле рассеяния носителя, поворачивается на некоторый угол θ (см. рис. 4.9, а). В исходном состоянии вектор намагниченности ориентирован обычно вдоль магниторезистивного элемента. Для этого в процессе его формирования создается наведенная одноосная анизотропия, которая характеризуется полем анизотропии Нк, направленным вдоль магниторезистивного элемента. Данное направление принято называть осью легкого намагничивания. Кроме того, в магниторезистивном элементе стремятся поддерживать однодоменное состояние, т.е. такое состояние, при котором магнитные моменты во всем магниторезистивном элементе ориентированы в одном направлении. Все это нужно для того, чтобы обеспечить намагничивание магниторезистивного элемента, близкое к безгистерезисному, и, следовательно, снизить уровень шума. Действительно, при таких условиях магниторезистивный элемент намагничивается полем рассеяния в направлении, перпендикулярном оси легкого намагничивания и называемом осью трудного намагничивания. При этом достигается процесс намагничивания путем вращения, заключающийся в повороте вектора намагниченности.



Рис. 4.9. Принцип работы магниторезистивного воспроизведения

Итак, магниторезистивный элемент реагирует на поле рассеяния магнитного носителя записи информации. И в этом нетрудно убедиться, наблюдая магнитное состояние магниторезистивного элемента, например с помощью магнитооптического метода. Записанную информацию, проявляющуюся в наличии поля рассеяния рабочего слоя, нужно прочитать в электрических сигналах, которые удобны при дальнейшей их обработке. Для этого можно было бы и магнитооптический метод применить, т.е. на выход магнитооптического канала поставить фотодетектор, генерирующий электрический сигнал. Оказывается, что такой подход хотя и реальный, но не самый простой и оптимальный и, кроме того, чувствительность магнитооптического метода не очень высока.

Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее


и надгробия из гранита. Низкие цены, высокое качество
kalevkamen.ru
массажный салон
nocenzore.su