• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Размер и расположение магнитного экрана

Форма и амплитуда сигнала воспроизведения зависят и от размеров магнитных экранов. С уменьшением толщины экранирующих элементов наблюдается уширение импульсов сигнала воспроизведения. Особенно заметное уширение начинается для толщин, меньших длины перехода намагниченности. Уменьшение толщины приводит к падению уровня сигнала воспроизведения, ухудшению характеристики чувствительности, т.е. снижает эффективность воспроизведения экранированного магниторезистивного преобразователя. Наиболее эффективны магниторезистивные преобразователи с более высокой магнитной проницаемостью экранирующих элементов.

Асимметричное расположение магниторезистивного элемента относительно магнитных экранов при сравнительно небольшой степени асимметрии приводит обычно к сглаживанию характеристики чувствительности магниторезистивного преобразователя. Асимметричное расположение магниторезистивного элемента можно задать в процессе изготовления магниторезистивного преобразователя. Для этого необходимо формировать смежные с магниторезистивным элементом изолирующие слои разной толщины.

Магнитное экранирование усложняет конструкцию магниторезистивного преобразователя, для изготовления которого требуются дополнительные технологические операции формирования магнитных экранов. Однако это в основном технические, легко преодолеваемые трудности. Другого рода трудности возникают при обеспечении магнитного экранирования магниторезистивного преобразователя для воспроизведения информации, записанной с высокой плотностью, когда длина перехода намагниченности приближается к толщине магниторезистивного элемента. С увеличением информационной плотности необходимо приблизить магнитные экраны к магниторезистивному элементу. А при достаточно близком их расположении усиливается магнитное взаимодействие между элементом и экраном, а также, как уже отмечалось, часть исходящего полезного магнитного потока замкнется через магнитные экраны. В результате уменьшится уровень сигнала воспроизведения, а значит, что при высокой плотности записи магнитное экранирование становится малоэффективным.

Для подтверждения такого вывода приведем пример. Согласно рассчитанной зависимости напряжения сигнала воспроизведения от плотности записи для магниторезистивного элемента толщиной 40 нм с полем анизотропии 400 А/м (при высоте плавания 0,1 мкм и толщине рабочего слоя 0,35 мкм) уровень сигнала воспроизведения для неэкранированного элемента при плотности записи 2000 бит/мм приблизительно на 10 дБ меньше, чем для экранированного элемента, находящегося между магнитными экранами, расположенными на расстоянии 1 мкм друг от друга. В то же время при более высокой плотности записи (около 4000 бит/мм) уровни сигналов воспроизведения экранированного и неэкранированного элементов примерно равны. Данный пример свидетельствует о больших потенциальных возможностях с точки зрения уровня сигнала воспроизведения неэкранированных магниторезистивных преобразователей.

Технологии и фундаментальные знания

Технология - совокупность методов обработки, изготовления, изменения состояния, свойств, формы сырья или полуфабрикатов...

читать далее

Начало развития твердотельной электроники

Толчком для развития твердотельной электроники послужили долгое время необъяснимые физические загадки, называемые...

читать далее

В последнее время широко используется силицидная технология, включающая операцию осаждения тонкого слоя титана...

читать далее