• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Размер и расположение магнитного экрана

Форма и амплитуда сигнала воспроизведения зависят и от размеров магнитных экранов. С уменьшением толщины экранирующих элементов наблюдается уширение импульсов сигнала воспроизведения. Особенно заметное уширение начинается для толщин, меньших длины перехода намагниченности. Уменьшение толщины приводит к падению уровня сигнала воспроизведения, ухудшению характеристики чувствительности, т.е. снижает эффективность воспроизведения экранированного магниторезистивного преобразователя. Наиболее эффективны магниторезистивные преобразователи с более высокой магнитной проницаемостью экранирующих элементов.

Асимметричное расположение магниторезистивного элемента относительно магнитных экранов при сравнительно небольшой степени асимметрии приводит обычно к сглаживанию характеристики чувствительности магниторезистивного преобразователя. Асимметричное расположение магниторезистивного элемента можно задать в процессе изготовления магниторезистивного преобразователя. Для этого необходимо формировать смежные с магниторезистивным элементом изолирующие слои разной толщины.

Магнитное экранирование усложняет конструкцию магниторезистивного преобразователя, для изготовления которого требуются дополнительные технологические операции формирования магнитных экранов. Однако это в основном технические, легко преодолеваемые трудности. Другого рода трудности возникают при обеспечении магнитного экранирования магниторезистивного преобразователя для воспроизведения информации, записанной с высокой плотностью, когда длина перехода намагниченности приближается к толщине магниторезистивного элемента. С увеличением информационной плотности необходимо приблизить магнитные экраны к магниторезистивному элементу. А при достаточно близком их расположении усиливается магнитное взаимодействие между элементом и экраном, а также, как уже отмечалось, часть исходящего полезного магнитного потока замкнется через магнитные экраны. В результате уменьшится уровень сигнала воспроизведения, а значит, что при высокой плотности записи магнитное экранирование становится малоэффективным.

Для подтверждения такого вывода приведем пример. Согласно рассчитанной зависимости напряжения сигнала воспроизведения от плотности записи для магниторезистивного элемента толщиной 40 нм с полем анизотропии 400 А/м (при высоте плавания 0,1 мкм и толщине рабочего слоя 0,35 мкм) уровень сигнала воспроизведения для неэкранированного элемента при плотности записи 2000 бит/мм приблизительно на 10 дБ меньше, чем для экранированного элемента, находящегося между магнитными экранами, расположенными на расстоянии 1 мкм друг от друга. В то же время при более высокой плотности записи (около 4000 бит/мм) уровни сигналов воспроизведения экранированного и неэкранированного элементов примерно равны. Данный пример свидетельствует о больших потенциальных возможностях с точки зрения уровня сигнала воспроизведения неэкранированных магниторезистивных преобразователей.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее