• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Сущность магнитного смещения

Сущность магнитного смещения
Изменение действующего на магниторезистивный элемент магнитного поля происходит в соответствии с распределением намагниченности рабочего слоя носителя. Подобное изменение магнитного поля рассеяния для магнитных носителей с различными параметрами, как правило, различно. Магнитное смещение оптимально только когда под действием суммарного магнитного поля, состоящего из усредненного поля рассеяния и поля смещения, достигается точка перегиба магниторезистивной характеристики и изменение магнитного поля соответствует ее квазилинейному участку. Отсюда следует, что напряженность магнитного поля смещения необходимо выбирать с учетом усредненной напряженности поля рассеяния: чем больше усредненное поле рассеяния, тем меньше поле смещения, и наоборот. Поэтому для одного и того же магниторезистивного элемента, используемого для магнитных носителей с различными магнитными характеристиками, магнитное поле смещения различно. Таким образом, выбор напряженности магнитного поля смещения зависит от магнитных свойств магниторезистивного элемента и магнитного носителя. Кроме того, как нетрудно убедиться, есть подобная зависимость и от режимов записи и воспроизведения. Все это вызывает определенные трудности при технической реализации магнитного смещения.

К настоящему времени известно несколько способов магнитного смещения. Их можно условно разделить на две основные группы. Сущность магнитного смещения в одной из них заключается в повороте вектора намагниченности в магниторезистивном элементе на оптимальный угол, при котором достигается квазилинейная область характеристики воспроизведения. В другой группе изменяется ориентация вектора плотности задающего тока, при этом угол между векторами намагниченности и плотности задающего тока приближается к 45°. Каждый способ магнитного смещения имеет свою специфику, свои положительные и отрицательные стороны, что определяет особенности их использования в магниторезистивных преобразователях различного назначения. Подробное описание всех способов магнитного смещения - задача нереальная. А качественное описание наиболее эффективных способов для полного представления общей проблемы магниторезистивного воспроизведения можно считать обоснованным.

Применение вычислительных средств

Возможность сочетания ЭВМ с существующими и вновь создаваемыми машинами и системами машин освобождает человека...

читать далее

Совершенствование тонкопленочной технологии в течение последних десятилетий позволило разместить все большее...

читать далее

Туннельно-резонансные диоды

К наноэлектронным приборам относятся туннельно-резонансные диоды. По структуре они напоминают своеобразный сэндвич...

читать далее