• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Технические способы магнитного смещения

Технические способы магнитного смещения
Техническое воплощение различных способов магнитного смещения иллюстрирует рис. 4.19. Источником магнитного поля смещения могут служить постоянные магниты из магнитотвердого материала. При этом возможны два варианта расположения смещающего элемента - элемента из магнитотвердого материала, который может быть как массивным, так и тонкопленочным. В одном из них



Рис. 4.19. Механизмы магнитного смещения:
1 - поле смещения; 2 - магниторезистивный элемент; 3 - элемент из магнитотвердого материала; 4 - поле задающего тока; 5 - элемент из магнитомягкого материала; 6- шунтирующий элемент; 7-направление задающего тока; 8 - магнитные экраны; 9 - наклонные электропроводящие полосы; 10-антиферро- магнитный элемент; 11 - направление вектора намагниченности

смещающий элемент перпендикулярен плоскости магниторезистивного элемента (рис. 4.19, а), а в другом - параллелен (рис. 4.19, б). При перпендикулярном расположении смещающего элемента его магнитное поле рассеяния пронизывает магниторезистивный элемент, и таким образом обеспечивается магнитное смещение. При таком расположении смещающего элемента практически исключается воздействие поля рассеяния на магнитный носитель, но, к сожалению, однородность магнитного поля смещения достигается при параллельном расположении смещающего элемента, когда его поле рассеяния замыкается через магниторезистивный элемент. Если для магниторезистивного элемента требуется сравнительно сильное поле смещения, то смещающий элемент должен обладать соответственно сильным полем рассеяния. А такое поле рассеяния смещающего элемента может привести к нежелательному воздействию на магнитный носитель. Поэтому для смещения полем рассеяния параллельно расположенного смещающего элемента требуется сравнительно слабое магнитное поле.

Магнитное смещение достигается, если параллельно расположенный смещающий элемент выполнен из магнитомягкого материала (см. рис. 4.19, в). В данном случае механизм магнитного смещения заключается в следующем. При протекании задающего тока через магниторезистивный элемент вокруг него создается небольшое поле рассеяния, замыкающееся через смещающий элемент, в результате чего он намагничивается и становится источником своего поля рассеяния, которое оказывает смещающее действие на магниторезистивный элемент. При таком способе смещения напряженность магнитного поля смещения косвенно зависит от задающего тока. А это означает, что полем смещения в какой-то степени можно управлять, изменяя значение задающего тока. Однако пределы изменения поля смещения таким образом сравнительно небольшие, что предопределяется зависимостью уровня сигнала воспроизведения от задающего тока: с уменьшением задающего тока уменьшается и уровень сигнала воспроизведения.

Магнитное поле смещения создается электрическим током, протекающим через электропроводящий элемент, расположенный рядом с магниторезистивным элементом (см. рис. 4.19, г). Электропроводящий элемент может быть шунтирующим: через него ответвляется часть задающего тока; при этом, изменяя электрическое сопротивление шунтирующего элемента, можно изменять и ответвленный ток, а следовательно, и напряженность его магнитного поля, являющегося полем смещения. Электропроводящий элемент, кроме того, может быть электрически изолированным от магниторезистивного элемента. Если в шунтирующем элементе ответвленный ток можно изменять, варьируя его толщину и подбирая материал с соответствующей электропроводностью, то в изолированном элементе можно регулировать протекающий через него электрический ток независимо от задающего тока.

Магнитному экранированию магниторезистивного элемента (при расположении его между магнитными экранами, выполненными из высокопроницаемого материала) сопутствует магнитное смещение (см. рис. 4.19, д). Наибольшая эффективность магнитного смещения в этом случае достигается при асимметричном расположении магниторезистивного элемента.
В двух параллельно расположенных магниторезистивных элементах, в которых протекает задающий ток одного и того же направления, магнитное смещение создается за счет магнитных полей токов в смежных элементах (см. рис. 4.19, ж). В данном случае магниторезистивные элементы смещают друг друга, т.е. происходит их взаимное магнитное смещение.

Возможен еще один способ магнитного смещения, для реализации которого магниторезистивный элемент располагается параллельно тонкопленочному элементу из антиферромагнитного материала и находится в контакте с ним (см. рис. 4.19, и). В магнитном поле задающего тока происходит переориентация магнитных моментов, и намагниченность антиферромагнитного элемента возрастает. При этом соответственно увеличивается поле рассеяния, в котором находится магниторезистивный элемент.

Век информации

Одна из важнейших проблем наступившего века - информационное обеспечение общества. Накопление и потребление информации...

читать далее

Нейронные сети

С начала 80-х годов XX в. прогресс вычислительной техники многие исследователи связывают с созданием искусственных...

читать далее

Тенденция к усложнению интегральных схем

Многие годы в производстве интегральных схем ведущей была технология МОП-транзисторных схем. Для специальных применений...

читать далее


Купить нож! Большой ассортимент
woodmart.org