• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Оптимальное магнитное смещение

В рассмотренных способах магнитное смещение достигается благодаря действию на магниторезистивный элемент магнитного поля, источником которого являются дополнительные элементы (с током и без него) из магнитного, либо электропроводящего, либо антиферромагнитного материала. Дополнительные элементы усложняют конструкцию магниторезистивного преобразователя, что влечет и усложнение технологии их изготовления. Возможно ли магнитное смещение без использования дополнительных элементов? Оказывается, возможно. Если в магниторезистивном элементе задать наклонную ориентацию оси легкого намагничивания, то в процессе воспроизведения направление вектора намагниченности М будет близким к направлению поля анизотропии Нк (см. рис. 4.19, з). Оптимальное смещение магниторезистивного элемента достигается при угле между осью легкого намагничивания и направлением задающего тока, равном 45°. Наклонная ориентация оси легкого намагничивания задается при формировании магниторезистивного элемента.

Довольно эффективен способ магнитного смещения ориентацией задающего тока. Как и предыдущий способ, этот способ реализуется без дополнительных источников магнитного поля. Однако он требует существенного усложнения конструкции и применения соответствующих непростых технологических приемов. Для изменения ориентации задающего тока на магниторезистивный элемент наносятся наклонные электропроводящие полосы (см. рис. 4.19, е). Если размеры магниторезистивного элемента относительно невелики, то нетрудно представить, сколь малы размеры наклонных полос. Небольшие размеры наклонных полос могут вызвать технологические трудности при их формировании, которые являются серьезным препятствием применения способа магнитного смещения для магниторезистивных элементов небольших размеров, необходимых для воспроизведения информации, записанной с высокой плотностью.



Рис. 4.19. Механизмы магнитного смещения:
1 - поле смещения; 2 - магниторезистивный элемент; 3 - элемент из магнитотвердого материала; 4 - поле задающего тока; 5 - элемент из магнитомягкого материала; 6- шунтирующий элемент; 7-направление задающего тока; 8 - магнитные экраны; 9 - наклонные электропроводящие полосы; 10-антиферро- магнитный элемент; 11 - направление вектора намагниченности


Голографическая память

Быстродействие памяти зависит от длительности процессов записи, поиска и воспроизведения информации. Увеличение емкости...

читать далее

Один из путей развития интеграции технологических процессов заключается в создании кластерной технологической системы...

читать далее

Биокомпьютеры сегодня

Сегодня уже доказана теоретическая возможность построения ДНК-компьютеров, проведены и первые успешные эксперименты...

читать далее