• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Толшина железонитридных пленок

Уменьшение толщины однослойных пленок FeN от 300 до 50 нм сопровождается возрастанием поля анизотропии и коэрцитивной силы вдоль оси легкого намагничивания соответственно от 320 до 640 А/м и 160 до 560 А/м. При этом незначительно изменяются магнитная индукция насыщения (она равна примерно 2,22 Тл) и коэрцитивная сила вдоль оси трудного намагничивания, оставаясь в пределах 80-120 А/м. При увеличении толщины однослойных пленок FeN от 0,3 до 1,15 мкм рассматриваемые магнитные параметры существенно не изменяются.

В пленках тоньше 450 нм наблюдалась преимущественно альфа-фаза Fe, а с увеличением толщины - и гамма-фаза Fe4N.

Для сравнения определялись те же магнитные параметры для многослойных пленок FeN/SiO2 с фиксированными общей толщиной и толщиной немагнитных прослоек, соответственно равными 600 и 3,0 нм. Начальная температура подложки, как и в предыдущем случае, составляла 120 °С.

С возрастанием толщины слоев FeN от 50 до 100 нм многослойных пленок FeN/SiO2 (при одном и том же числе слоев) коэрцитивная сила вдоль оси легкого намагничивания монотонно уменьшалась примерно от 160 до 40 А/м, а затем плавно увеличивалась до 160 А/м по мере роста толщины слоев до 600 нм. Похожие результаты получены для многослойных пленок FeN/Si02 общей толщиной 1 мкм, осажденных магнетронным способом.

Уменьшение толщины слоев FeN тех же многослойных пленок от 600 до 50 нм сопровождалось монотонным увеличением поля анизотропии примерно от 160 до 1760 А/м. При этом магнитная индукция насыщения плавно уменьшалась приблизительно от 2,2 до 1,7 Тл. В тонкопленочных образцах FeN/SiO2 с более толстыми слоями FeN наблюдались более крупные зерна: для слоев толщиной 600 и 75 нм размер кристаллических зерен составлял соответственно 35 и 20 нм.

Итак, коэрцитивная сила однослойных пленок FeN толщиной 600 нм существенно не изменяется при увеличении температуры подложки вплоть до 160 °С к началу и 240 °С к концу напыления. Для многослойных пленок FeN/SiO2 общей толщины 600 нм минимальная коэрцитивная сила вдоль оси легкого намагничивания равна 52 А/м и соответствует толщине слоев FeN, равной 95 нм.

Память человека и память ЭВМ

Память - несомненно, один из важнейших атрибутов человека. Развитый, утонченный и вместе с тем изощренный аппарат...

читать далее

Для формирования элементов шириной менее 0,12 мкм предпочтительна проекционная ионно-пучковая литография...

читать далее

Использование фотонного кристалла для создания компьютера

Практической основой, на которой в будущем, по-видимому, будут реализованы все компоненты фотонного компьютера...

читать далее