• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Толшина железонитридных пленок

Уменьшение толщины однослойных пленок FeN от 300 до 50 нм сопровождается возрастанием поля анизотропии и коэрцитивной силы вдоль оси легкого намагничивания соответственно от 320 до 640 А/м и 160 до 560 А/м. При этом незначительно изменяются магнитная индукция насыщения (она равна примерно 2,22 Тл) и коэрцитивная сила вдоль оси трудного намагничивания, оставаясь в пределах 80-120 А/м. При увеличении толщины однослойных пленок FeN от 0,3 до 1,15 мкм рассматриваемые магнитные параметры существенно не изменяются.

В пленках тоньше 450 нм наблюдалась преимущественно альфа-фаза Fe, а с увеличением толщины - и гамма-фаза Fe4N.

Для сравнения определялись те же магнитные параметры для многослойных пленок FeN/SiO2 с фиксированными общей толщиной и толщиной немагнитных прослоек, соответственно равными 600 и 3,0 нм. Начальная температура подложки, как и в предыдущем случае, составляла 120 °С.

С возрастанием толщины слоев FeN от 50 до 100 нм многослойных пленок FeN/SiO2 (при одном и том же числе слоев) коэрцитивная сила вдоль оси легкого намагничивания монотонно уменьшалась примерно от 160 до 40 А/м, а затем плавно увеличивалась до 160 А/м по мере роста толщины слоев до 600 нм. Похожие результаты получены для многослойных пленок FeN/Si02 общей толщиной 1 мкм, осажденных магнетронным способом.

Уменьшение толщины слоев FeN тех же многослойных пленок от 600 до 50 нм сопровождалось монотонным увеличением поля анизотропии примерно от 160 до 1760 А/м. При этом магнитная индукция насыщения плавно уменьшалась приблизительно от 2,2 до 1,7 Тл. В тонкопленочных образцах FeN/SiO2 с более толстыми слоями FeN наблюдались более крупные зерна: для слоев толщиной 600 и 75 нм размер кристаллических зерен составлял соответственно 35 и 20 нм.

Итак, коэрцитивная сила однослойных пленок FeN толщиной 600 нм существенно не изменяется при увеличении температуры подложки вплоть до 160 °С к началу и 240 °С к концу напыления. Для многослойных пленок FeN/SiO2 общей толщины 600 нм минимальная коэрцитивная сила вдоль оси легкого намагничивания равна 52 А/м и соответствует толщине слоев FeN, равной 95 нм.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее