• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Железонитридные пленки с содержанием азота

Неплохими магнитомягкими свойствами обладают пленки FeN с содержанием азота около 9,3% (ат.). Их коэрцитивная сила вдоль осей легкого и трудного намагничивания соответственно равна 1660 и 32 А/м, поле анизотропии около 800 А/м, магнитная индукция не менее 1,5 Тл и магнитострикция насыщения - 20-10Л Такие пленки осаждались реактивным магнетронным распылением железной мишени в атмосфере смеси газов аргона и азота. Напыление осуществлялось на монокристаллические кремниевые подложки, предварительно покрытые слоем оксида алюминия толщиной 200 нм. В осажденных пленках FeN наблюдались остаточные упругие напряжения сжатия, которые после термической обработки переходят в напряжение растяжения.

С увеличением содержания азота от 0 до 9,3% (ат.) размер кристаллических зерен пленок FeN уменьшился и их структура приблизилась к аморфной. По сравнению с пермаллоевыми пленки FeN проявляют большую химическую активность во влажной атмосфере и гораздо меньшую в атмосфере, содержащей хлор и серу.

Итак, в тонкопленочных железонитридных материалах легко формируются кристаллические зерна разных размеров и гамма-фаза Fe4N, которые сильно влияют на магнитные свойства. Магнитные характеристики таких материалов: магнитная индукция насыщения 1,8-2,2 Тл, коэрцитивная сила не более 80 А/м, магнитная проницаемость около 4000 и магнитострикция насыщения не превышает 10-6. Результаты испытаний показали, что с помощью записывающей магнитной головки с узким рабочим зазором, магнитопровод которой изготовлен из тонкопленочного магнитного материала FeN, удалось осуществить запись на магнитном носителе с высокой коэрцитивной силой - около 304 кА/м.

Применение вычислительных средств

Возможность сочетания ЭВМ с существующими и вновь создаваемыми машинами и системами машин освобождает человека...

читать далее

Совершенствование тонкопленочной технологии в течение последних десятилетий позволило разместить все большее...

читать далее

Туннельно-резонансные диоды

К наноэлектронным приборам относятся туннельно-резонансные диоды. По структуре они напоминают своеобразный сэндвич...

читать далее