• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Тонкопленочные материалы FeTaN

Результаты экспериментальных исследований пленок FeTaN с содержанием 10,5-11,5% (ат.) Та и 8,5-14,5% (ат.) N показали, что для них характерны чрезвычайно малая коэрцитивная сила и сравнительно высокие магнитная проницаемость и намагниченность насыщения.

Исследуемые тонкопленочные образцы толщиной 0,1-7 мкм напылялись высокочастотным ионно-плазменным способом на керамические подложки в атмосфере смеси газов азота и аргона при мощности 400 Вт и полном давлении 1,6 Па. Напыленные пленки подвергались термообработке в вакууме при температуре 300-700 °С в течение одного часа. Термообработка производилась как без магнитного поля, так и в магнитном поле напряженностью 48 кА/м, приложенном в плоскости тонкопленочных образцов.

Как показали измерения, коэрцитивная сила пленок FeTaN зависит от их толщины. Так, при увеличении толщины пленок, содержащих 10,5% (ат.)Та и 13% (ат.) N, от 0,1 до 2 мкм коэрцитивная сила уменьшается примерно от 200 до 10 А/м. Пленки подвергались термообработке при 550 °С без магнитного поля. Аналогично получены такие же по характеру толщинные зависимости коэрцитивной силы тонкопленочных образцов, подвергнутых термообработке в статическом и вращающемся магнитных полях. Однако кривая толщинной зависимости коэрцитивной силы для отожженных во вращающемся магнитном поле тонкопленочных образцов FeTaN проходит несколько выше аналогичной кривой для отожженных в статическом поле тех же образцов. Для интервала толщин 0,1—2 мкм наибольшую коэрцитивную силу имеют образцы FeTaN, отожженные без магнитного поля. Увеличение толщины этих образцов от 2 до 5 мкм не привело к заметному изменению коэрцитивной силы.

С увеличением толщины пленок FeTaN значительно возрастает их магнитная проницаемость. Так, для пленок FeTaN, подвергнутых отжигу в статическом магнитном поле, по мере возрастания толщины от 0,1 до 2 мкм магнитная проницаемость на частоте 1 МГц существенно увеличивается и почти не изменяется при дальнейшем увеличении толщины. Однако на частоте 10 МГц магнитная проницаемость заметно уменьшается по мере возрастания толщины от
2 до 5 мкм.

Начало развития вычислительных средств

Для облегчения физического труда еще с древних времен использовались разнообразные приспособления, механизмы и машины...

читать далее

Первый транзистор

В результате многочисленных экспериментов удалось изготовить образец, включающий границу перехода между двумя типами...

читать далее

В результате развития метода молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) разработаны технологии МПЭ с газовыми источниками...

читать далее