• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Эксперименты с материалами с пермаллоевыми слоями

Экспериментальные исследования показали, что в напыленных пленках наблюдается кристаллографическая текстура, от которой зависят их магнитные свойства. Так, с увеличением процентного содержания азота от 0 до 20 % (ат.) размеры кристаллических зерен однослойных пленок FeAlN монотонно уменьшались примерно с 20 до 5,0 нм. На дифракционной картине регистрировались максимумы, характеризующие кристаллографические плоскости (110) для FeAlN и (111) для NiFe, и еще один, более слабый максимум (200) для NiFe. Средний размер кристаллических зерен монотонно увеличивался приблизительно от 9,0 до 15,0 нм с возрастанием периода слоистой структуры от 15 до 160 нм. При этом поле анизотропии уменьшилось от 400 до 160 А/м, а коэрцитивная сила немного возросла - от 64 до 96 А/м. Однако при возрастании периода слоистой структуры магнитострикция заметно уменьшилась.

Магнитные свойства тонкопленочных образцов FeAlN/NiFe зависят от отношения толщин железонитридных и пермаллоевых слоев. При увеличении такого отношения от 1 до 23 и неизменной общей толщине образца, составляющей 0,48 мкм, монотонно увеличиваются магнитная индукция насыщения от 1,5 до 2 Тл и коэрцитивная сила от 24 до 160 А/м. Коэрцитивная сила измерялась вдоль оси легкого намагничивания. Примерно такой же характер изменения коэрцитивной силы наблюдался и вдоль оси трудного намагничивания, которая почти для всех рассматриваемых отношений толщин приблизительно на 40 А/м меньше, чем для направления легкого намагничивания. Поле анизотропии для образцов FeAlN/NiFe максимально и составляет 200 А/м для отношения толщин железонитридных и пермаллоевых слоев, равного 5.

Таким образом, рассмотренные тонкопленочные материалы с пермаллоевыми слоями имеют достаточно высокую магнитную индукцию насыщения при небольших коэрцитивной силе и магнитострикции насыщения, что несомненно представляет практический интерес при разработке преобразователей, включающих элементы из магнитомягкого материала.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее