• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Эксперименты с материалами с пермаллоевыми слоями

Экспериментальные исследования показали, что в напыленных пленках наблюдается кристаллографическая текстура, от которой зависят их магнитные свойства. Так, с увеличением процентного содержания азота от 0 до 20 % (ат.) размеры кристаллических зерен однослойных пленок FeAlN монотонно уменьшались примерно с 20 до 5,0 нм. На дифракционной картине регистрировались максимумы, характеризующие кристаллографические плоскости (110) для FeAlN и (111) для NiFe, и еще один, более слабый максимум (200) для NiFe. Средний размер кристаллических зерен монотонно увеличивался приблизительно от 9,0 до 15,0 нм с возрастанием периода слоистой структуры от 15 до 160 нм. При этом поле анизотропии уменьшилось от 400 до 160 А/м, а коэрцитивная сила немного возросла - от 64 до 96 А/м. Однако при возрастании периода слоистой структуры магнитострикция заметно уменьшилась.

Магнитные свойства тонкопленочных образцов FeAlN/NiFe зависят от отношения толщин железонитридных и пермаллоевых слоев. При увеличении такого отношения от 1 до 23 и неизменной общей толщине образца, составляющей 0,48 мкм, монотонно увеличиваются магнитная индукция насыщения от 1,5 до 2 Тл и коэрцитивная сила от 24 до 160 А/м. Коэрцитивная сила измерялась вдоль оси легкого намагничивания. Примерно такой же характер изменения коэрцитивной силы наблюдался и вдоль оси трудного намагничивания, которая почти для всех рассматриваемых отношений толщин приблизительно на 40 А/м меньше, чем для направления легкого намагничивания. Поле анизотропии для образцов FeAlN/NiFe максимально и составляет 200 А/м для отношения толщин железонитридных и пермаллоевых слоев, равного 5.

Таким образом, рассмотренные тонкопленочные материалы с пермаллоевыми слоями имеют достаточно высокую магнитную индукцию насыщения при небольших коэрцитивной силе и магнитострикции насыщения, что несомненно представляет практический интерес при разработке преобразователей, включающих элементы из магнитомягкого материала.

Применение вычислительных средств

Возможность сочетания ЭВМ с существующими и вновь создаваемыми машинами и системами машин освобождает человека...

читать далее

Совершенствование тонкопленочной технологии в течение последних десятилетий позволило разместить все большее...

читать далее

Туннельно-резонансные диоды

К наноэлектронным приборам относятся туннельно-резонансные диоды. По структуре они напоминают своеобразный сэндвич...

читать далее