• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Эксперимент с вихревым током над пермаллоевыми пленками

Для оценки влияния вихревых токов на магнитные и частотные свойства тонкопленочных образцов с одно- и двухслойными структурами использовалась трехмерная модель ограниченных элементов, которая учитывала изменение магнитного потока, обусловливающее вихревые токи, магнитное поле которых приводит к ослаблению магнитного потока.

Расчет вихревых токов и магнитной индукции для тонкопленочных образцов с разной структурой производился численным методом при заданном распределении магнитного потока, от которого непосредственно зависит распределение вихревых токов. Получено, что с увеличением толщины изолирующей прослойки от 0,1 до 10 мкм распределение вихревых токов трансформируется, а магнитная индукция при этом практически не изменяется, что согласуется с рассмотренными экспериментальными результатами.

Эксперимент показывает, что магнитная проницаемость двухслойных пленок заметно выше, чем однослойных пленок, напыленных в форме узких полос. Магнитные свойства узких тонкопленочных образцов зависят от их относительных размеров и поля анизотропии. В зависимости от ширины тонкопленочных полос и толщины диэлектрической прослойки реализуются, в основном, три вида доменной структуры. Первый из них характеризуется антипараллельной ориентацией магнитных моментов в смежных доменах, направленных поперек тонкопленочной полосе. При этом по краям полосы магнитные моменты имеют одинаковую наклонную ориентацию. Такой вид доменной структуры определяется магнитной анизотропией и характерен для тонкопленочных полос шириной не более 10 мкм с диэлектрической прослойкой толщиной 200-600 нм.

Второй вид представляет собой замкнутую доменную структуру с антипараллельной ориентацией магнитных моментов в ромбовидных центральных доменах с примыкающими к ним клинообразными доменами, расположенными в краевых зонах тонкопленочных полос. Такой вид доменной структуры обнаруживается на тонкопленочных полосах шириной 20-40 мкм при толщине диэлектрической прослойки 150-600 нм. И наконец, антипараллельная продольная ориентация магнитных моментов без краевых доменов характерна для третьего вида доменной структуры. Подобная доменная структура наблюдалась в образцах шириной 80-100 мкм при всех толщинах изолирующей прослойки (10-600 нм), а также при ширине полосы менее 40 мкм и толщине не более 100 нм.

Век информации

Одна из важнейших проблем наступившего века - информационное обеспечение общества. Накопление и потребление информации...

читать далее

Нейронные сети

С начала 80-х годов XX в. прогресс вычислительной техники многие исследователи связывают с созданием искусственных...

читать далее

Тенденция к усложнению интегральных схем

Многие годы в производстве интегральных схем ведущей была технология МОП-транзисторных схем. Для специальных применений...

читать далее