• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Эксперимент с вихревым током над пермаллоевыми пленками

Для оценки влияния вихревых токов на магнитные и частотные свойства тонкопленочных образцов с одно- и двухслойными структурами использовалась трехмерная модель ограниченных элементов, которая учитывала изменение магнитного потока, обусловливающее вихревые токи, магнитное поле которых приводит к ослаблению магнитного потока.

Расчет вихревых токов и магнитной индукции для тонкопленочных образцов с разной структурой производился численным методом при заданном распределении магнитного потока, от которого непосредственно зависит распределение вихревых токов. Получено, что с увеличением толщины изолирующей прослойки от 0,1 до 10 мкм распределение вихревых токов трансформируется, а магнитная индукция при этом практически не изменяется, что согласуется с рассмотренными экспериментальными результатами.

Эксперимент показывает, что магнитная проницаемость двухслойных пленок заметно выше, чем однослойных пленок, напыленных в форме узких полос. Магнитные свойства узких тонкопленочных образцов зависят от их относительных размеров и поля анизотропии. В зависимости от ширины тонкопленочных полос и толщины диэлектрической прослойки реализуются, в основном, три вида доменной структуры. Первый из них характеризуется антипараллельной ориентацией магнитных моментов в смежных доменах, направленных поперек тонкопленочной полосе. При этом по краям полосы магнитные моменты имеют одинаковую наклонную ориентацию. Такой вид доменной структуры определяется магнитной анизотропией и характерен для тонкопленочных полос шириной не более 10 мкм с диэлектрической прослойкой толщиной 200-600 нм.

Второй вид представляет собой замкнутую доменную структуру с антипараллельной ориентацией магнитных моментов в ромбовидных центральных доменах с примыкающими к ним клинообразными доменами, расположенными в краевых зонах тонкопленочных полос. Такой вид доменной структуры обнаруживается на тонкопленочных полосах шириной 20-40 мкм при толщине диэлектрической прослойки 150-600 нм. И наконец, антипараллельная продольная ориентация магнитных моментов без краевых доменов характерна для третьего вида доменной структуры. Подобная доменная структура наблюдалась в образцах шириной 80-100 мкм при всех толщинах изолирующей прослойки (10-600 нм), а также при ширине полосы менее 40 мкм и толщине не более 100 нм.

Поколения ЭВМ

В развитии вычислительных средств различают несколько поколений, непосредственно связанных с открытиями...

читать далее

МОП- и МДП-структура

Разработка транзисторов открывала новые направления в полу проводниковой электронике. Одно из них связано с созданием...

читать далее

Схемы одноэлектронной памяти

Одну из идей создания прибора и его схемотехнического решения на базе нанотехнологий выдвинули российские ученые...

читать далее