• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Разновидности магниторезистивных головок

Разновидности магниторезистивных головок
В развитии технических средств накопления информации важную роль играют магниторезистивные преобразователи, первые модификации которых предложены в конце 60-х годов XX в. Спустя примерно полтора десятка лет магниторезистивные головки нашли применение в серийно выпускаемом накопителе на магнитной ленте IBM-3480.

Одна из простейших модификаций магниторезистивной головки (рис. 6.1, а) содержит магниторезистивный элемент 1 высотой h, перпендикулярно расположенный на расстоянии d от поверхности магнитного носителя 2. Она представляет собой неэкранированную магниторезистивную головку без магнитного смещения. Ее разрешающая способность сравнительно невысока.

Совершенствование магниторезистивных головок включает решение ряда взаимосвязанных задач: повышение разрешающей способности, создание поперечного магнитного смещения, линеаризация магниторезистивной характеристики, подавление термического шума и шума Баркхаузена, достижение магнитной стабильности, исключение асимметрии сигнала воспроизведения и т.п. К перечисленным задачам следует добавить и технологические проблемы 




Рис. 6.1. Разновидности магниторезистивных головок:
1 - магниторезистивный элемент; 2-носитель; 3 - высокопроницаемый магнитопровод; 4 - магнитные экраны; 5 - немагнитный тонкопленочный слой; 6 - магнитный элемент; 7 - электропроводящие элементы

изготовления магниторезистивных головок, включающих целый ряд формируемых из разных материалов тонкопленочных элементов сложной формы.

Повышение разрешающей способности - одна из важнейших задач. Она зависит от многих факторов и прежде всего от формы и размеров чувствительного элемента. Простейшая модификация не- экранированных головок с элементом прямоугольной формы чаще всего используются в накопителях на магнитной ленте.

В другой модификации магниторезистивных головок чувствительный элемент 1, располагаясь в средней части Ш-образного магнитопровода, перекрывает специально сформированный разрыв магнитной цепи (см. рис. 6.1, б). В ней внешние ветви магнитопровода обеспечивают экранирование от магнитных полей, несвязанных с полем полезного сигнала. Изготавливается она на основе сложной комбинированной технологии.
Более проста технология изготовления экранированной магниторезистивной головки, показанная на рис. 6.1, в. В отличие от модификации (см. рис. 6.1, б), в которой магниторезистивный элемент не выходит на рабочую поверхность головки, т.е. расположен внутри самой головки, в данной экранированной головке торцевая поверхность магниторезистивного элемента совпадает с рабочей поверхностью. Магниторезистивный элемент в ней находится между магнитными экранами 4, с помощью которых обеспечивается не только магнитное экранирование магниторезистивного элемента, но и его защита от механического износа при контакте с подвижным носителем. Сравнительно высокой износостойкостью обладают магнитные экраны, выполненные, например, из никель-цинко- вого феррита. Такая магниторезистивная головка имеет относительно высокую разрешающую способность и применяется для дисковых магнитных накопителей информации. Разрешающая способность экранированной магниторезистивной головки зависит от зазора между магниторезистивным элементом и одним из экранов.

С повышением информационной плотности записи возрастают требования к динамическим характеристикам механических узлов перемещения и позиционирования, а также к точности их исполнения. С увеличением угла перекоса магнитной головки, включающей магниторезистивный элемент, заметно уменьшается поперечная плотность записи информации. При одном и том же угле перекоса поперечная плотность записи тем меньше, чем больше расстояние между рабочим зазором записывающей магнитной головки и магниторезистивным элементом. А это означает, что перекос влияет на поперечную плотность записи при увеличении такого расстояния.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее