• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные головки с магнитным смещением

Магниторезистивные головки с магнитным смещением
Для обеспечения работы магниторезистивной головки в квазилинейной области, как уже отмечалось, вводится магнитное (обычно поперечное) поле смещения для поворота вектора намагниченности. Оптимальный угол поворота вектора намагниченности соответствует точке перегиба магниторезистивной характеристики. В неэкранированных магниторезистивных головках в качестве источников магнитного поля смещения используются массивные либо тонкопленочные постоянные магнитные элементы. В экранированных головках трудно обеспечить однородность магнитного поля смещения.

Большинство способов магнитного смещения экранированных головок сводится к введению дополнительного магнитного элемента 6(см. рис. 6.1, г), расположенного рядом с магниторезистивным элементом. Такой элемент обычно находится на небольшом расстоянии от магниторезистивного элемента, равном толщине немагнитного промежуточного слоя 5 из диэлектрического или проводящего материала. В зависимости от модификации магниторезистивной головки магнитный элемент формируется из магнитомягкого либо магнитотвердого материала. Так, при смещении полем рассеяния постоянного магнита немагнитный элемент выполняется из материала с высоким электрическим сопротивлением, а магнитный элемент - из материала с большой остаточной намагниченностью насыщения.

В магниторезистивной головке с шунтирующим смещением немагнитный элемент электропроводен, наличие дополнительного магнитного элемента необязательно. Функцию экранирования, как и в предыдущей модификации, выполняют магнитные экраны. При смещении с помощью магнитного элемента, выполненного из магнитомягкого материала, немагнитный промежуточный элемент напыляется из диэлектрического материала или проводящего материала с высоким электрическим сопротивлением. И, наконец, в магниторезистивной головке с двойным чувствительным элементом используется немагнитный диэлектрический элемент.

При магнитном смещении полем рассеяния постоянного магнита в краевых областях магниторезистивного элемента возникает сравнительно сильное поле смещения. Магнитное смещение менее эффективно при ответвлении тока в проводящий шунтирующий элемент. Оно достигается при наличии магнитных экранов. Его эффективность повышается при асимметричном расположении магниторезистивного элемента между магнитными экранами, при котором расстояние между магнитным экраном со стороны шунтирующего проводящего элемента и магниторезистивным элементом меньше расстояния между другим экраном и магниторезистивным элементом. При большой асимметрии шунтирующий элемент можно исключить.

При смещении с помощью магнитомягкого элемента происходит его намагничивание магнитным полем задающего тока. Магнитное поле намагниченного смещающего элемента оказывает магнитостатическое воздействие на магниторезистивный элемент. Смещающий магнитомягкий элемент и промежуточный элементы должны иметь большее электрическое сопротивление и меньшее магнетосопротивление, чем магниторезистивный элемент. При этом шунтирующие потери минимальны и магнитное поле смещения относительно однородно.
В магниторезистивной головке с двойным элементом разделенные немагнитной диэлектрической прослойкой два идентичных магниторезистивных элемента смещаются в противоположных направлениях, что обеспечивает компенсацию нелинейной составляющей сигнала воспроизведения. Термические составляющие шума при этом также в основном компенсируются.




Рис. 6.1. Разновидности магниторезистивных головок:
1 - магниторезистивный элемент; 2-носитель; 3 - высокопроницаемый магнитопровод; 4 - магнитные экраны; 5 - немагнитный тонкопленочный слой; 6 - магнитный элемент; 7 - электропроводящие элементы

Линеаризация магниторезистивной характеристики зависит от того, насколько точно совпадают размерные, магнитные и электрические параметры двух идентичных магниторезистивных элементов. Точное их совпадение предъявляет высокие требования к технологии формирования таких элементов. Диэлектрическая прослойка, разделяющая магниторезистивные элементы, должна быть достаточно тонкой и выполнять функцию хорошего электрического изолятора.

В магниторезистивных головках с наклонной полосовой структурой (см. рис. 6.1, д) осуществляется поворот не вектора намагниченности М, а вектора плотности 1 задающего тока в магниторезистивном элементе. Благодаря высокой электропроводности наклонных полос образуются области, в которых вектор плотности ориентируется перпендикулярно к электропроводящим полосам, а вектор намагниченности в исходном состоянии направлен вдоль магниторезистивного элемента. Для магниторезистивных головок с наклонными полосами повышается стабильность сигнала воспроизведения.

Шунтирующие и компенсирующие способы смещения широко используются в магниторезистивных головках для накопителей на магнитной ленте, а смещение с помощью магнитомягкого элемента материала применяется в накопителе на магнитных дисках.

В рабочем слое носителя при записи с перпендикулярным намагничиванием магнитные моменты в смежных областях противоположно...

читать далее

Для определения распределения поля рассеяния и зависимости его от конфигурации и геометрических размеров полюсных...

читать далее

Более широко применяются многовитковые тонкопленочные магнитные головки с плоской спиральной обмоткой...

читать далее