• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивные головки с экранированными элементами

Большинство модификаций магниторезистивных преобразователей содержит неэкранированные магниторезистивные элементы. Магнитные экранирующие элементы улучшают качество воспроизведения высокочастотных сигналов. Изолированный импульс сигнала воспроизведения неэкранированных магниторезистивных головок имеет заостренную форму. С точки зрения удобства обработки сигнала воспроизведения, повышения износостойкости, стабилизации доменной структуры и т.п. неэкранированные магниторезистивные головки можно использовать для накопителей на магнитной ленте.

Преимущества экранированной магниторезистивной головки не совсем очевидны. С помощью электронного усилителя можно усилить сигнал воспроизведения до уровня, необходимого для дальнейшей обработки. Но при усилении сигнала повышается уровень шума канала воспроизведения. Кроме того, магнитное смещение экранирующих элементов и ослабление магнитной связи с носителем приводит к повышению паразитного магнитного потока магниторезистивного элемента, что влечет за собой возрастание нелинейных искажений. А это означает, что наряду с положительным качеством экранирования возникает ряд нежелательных эффектов. Поэтому разрабатываются новые модификации магниторезистивных головок с различными смещающими элементами, но без магнитных экранов.

Для количественной оценки сигналов воспроизведения в рамках двухмерной модели элемента ограниченных размеров производился расчет разности уровней сигнала воспроизведения экранированной и неэкранированной магниторезистивных головок. При этом учитывались компоненты намагниченности рабочего слоя носителя записи и магнитный потенциал на поверхности магниторезистивной головки. Рассматривался магниторезистивный элемент, расположенный между двумя электропроводящими элементами. В экранированной головке такой магниторезистивный элемент помещался между высокопроницаемыми магнитными экранами с относительно высокой магнитной проницаемостью - в два раза превосходящей проницаемость магниторезистивного элемента. Проведенные расчеты показали, что при плотности записи 1500-4500 пер./мм приведенный уровень сигнала воспроизведения для экранированной магниторезистивной головки примерно на 10 дБ превосходит аналогичный уровень для неэкранированной головки. На основании чего сделан вывод о необходимости введения электронного компенсатора для корректировки отношения сигнал-шум неэкранированной магниторезистивной головки.

Теоретически полученная разность уровней сигнала воспроизведения экранированной и неэкранированной магниторезистивных головок неплохо согласуется с экспериментально определенной разностью. Для проведения экспериментальных работ изготавливались магниторезистивные головки обеих модификаций. Ширина активного участка магниторезистивного элемента составляла 25 мкм, высота - 5 мкм и толщина - 30 нм. Для магнитного смещения магниторезистивного элемента использовались два высокопроницаемых магнитных элемента, расположенных на расстоянии 15 нм от магниторезистивного элемента (на таком расстоянии возникает слабое магнитостатическое взаимодействие между магнитными экранами и магниторезистивным элементом). Как показали измерения, уровень шума неэкранированной магниторезистивной головки с возрастанием плотности записи монотонно увеличивается и при плотности, равной примерно 3500 пер./мм, приближается к уровню шума электронных схем. С увеличением плотности записи плавно возрастает уровень, шума и экранированной магниторезистивной головки. Почти для всех значений плотности записи наблюдается заметная разность уровней шума экранированной и неэкранированной магниторезистивных головок. Максимальная разность уровней равна приблизительно 15 дБ и соответствует плотности записи 2000-2500 пер./мм.

Уровень сигнала воспроизведения неэкранированной магниторезистивной головки, приведенный к задающему току, с увеличением плотности записи примерно от 500 до 2000 пер./мм убывает приблизительно от 100 до 25 мВ/мА. При таком же изменении плотности записи уровень сигнала воспроизведения экранированной головки убывает от 80 до 50 мВ/мА. С введением компенсатора в том же диапазоне плотности записи для экранированной головки уровень возрастает примерно от 30 до 55 мВ/мА, а для неэкранированной головки - приблизительно от 18 до 20 мВ/мА.

Детальный анализ сигнала воспроизведения экранированных и неэкранированных магниторезистивных головок с учетом спектрального состава и линейности показывает, что при плотности записи информации вплоть до 2500 пер./мм неэкранированные магниторезистивные головки могут обеспечить сигнал воспроизведения, вполне приемлемый для дальнейшей его обработки с помощью электронных схем.

Похожие результаты получены для однослойных пленок FeAg и CoAg. Максимальное относительное магнетосопротивление...

читать далее

Получение тонкопленочных материалов

Таким образом, при формировании гранулированных пленок с туннельным переходом при изменении технологических параметров...

читать далее

Общие сведения о накоплении информации

Появление наскальных рисунков и надписей свидетельствует о стремлении человека еще в древние времена сохранить...

читать далее


экстракторов для химчистки! Торопитесь: спецпредложение
amag.ru