• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Магниторезистивная головка с двойным чувствительным элементом

Магниторезистивная головка с двойным чувствительным элементом
Стремление повысить разрешающую способность магниторезистивной головки привело к необходимости магнитного экранирования ее чувствительного элемента. Сочетание простой конструкции неэкранированных магниторезистивных головок и высокой разрешающей способности, достигаемой при магнитном экранировании, характерно для магниторезистивных головок с двойным чувствительным элементом. Такие головки не требуют магнитного экранирования и удобны для создания оптимального магнитного смещения. Двойной чувствительный элемент состоит из двух параллельно расположенных магниторезистивных элементов, разделенных в рабочей области диэлектрической прослойкой, сопряженной с узкими электропроводящими полосами, по ширине совпадающими с контактными полосами. Узкие электропроводящие полосы обеспечивают не только электрический контакт между магниторезистивными элементами, но и выполняют функцию смещающих элементов, если они выполнены, например, из антиферромагнитного материала.

Для магниторезистивных головок с двойным чувствительным элементом в приближении двухмерной модели с учетом распределения намагниченности в магниторезистивных элементах при наличии магнитного поля смещения получено аналитическое выражение для оценки напряжения сигнала воспроизведения. Расчеты показывают, что магниторезистивная головка с двойным элементом по параметрам не уступает самой лучшей экранированной магниторезистивной головке. На основе другого теоретического подхода - в рамках микромагнитного анализа - получены также количественные характеристики магниторезистивной головки с двойным чувствительным элементом. В расчетах учитывалось не только распределение плотности задающего тока в обоих магниторезистивных чувствительных элементах, но и изменение намагниченности при действии поля рассеяния сигнала и поля смещения в каждом элементе. Рассчитанная в микромагнитном приближении зависимость функции чувствительности от обратной длины волны имеет характерный максимум, который для магниторезистивной головки с двойным элементом более размыт, чем для экранированных и неэкранированных магниторезистивных головок. Аналогичные результаты получены и численными методами.

Унификация информационных технологий

Удовлетворение возрастающих потребностей общества при неуклонном росте народонаселения земного шара требует...

читать далее

Изучая свойства кристаллического детектора, наш соотечественник, выдающийся радиофизик О.В. Лосев (1903-1942), обнаружил на вольт-амперной...

читать далее

Создание слоев на интегральных микросхемах

Для формирования барьерных слоев все чаще используют тонкие пленки нитрида титана. Однако современная технология...

читать далее