• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Замена неисправного транзистора

Замена неисправного транзистора
При замене вышедшего из строя транзистора новым транзистором того же типа, как правило, также не появляется необходимости каких-либо дополнительных изменений. Часто имеется возможность установки транзистора того же типа, но с другим буквенным индексом. При этом нужно по справочнику сравнить их между собой, так как транзисторы с разными буквенными индексами могут различаться по разным параметрам: по значению граничной частоты или статического коэффициента передачи тока, по допустимым напряжениям коллектор-база и коллектор-эмиттер, а также по другим параметрам. Если найти транзистор того же типа нет возможности, иногда можно подобрать транзистор другого типа. Заменяющий транзистор, во-первых, должен относиться к той же группе, что и заменяемый. Например, малой мощности низкой частоты или большой мощности средней частоты. Затем подбирают транзистор той же структуры: р-п-р или п-р-п, полевой транзистор с p-каналом или n-каналом. Далее проверяют значения предельных параметров: максимального тока коллектора, максимальных напряжений коллектор-база и коллектор-эмиттер, максимальной мощности на коллекторе, которые у заменяющего транзистора должны быть не меньше, чем у заменяемого. Статический коэффициент передачи тока должен отличаться не более чем на 20%. У высокочастотных или сверхвысокочастотных транзисторов такие параметры, как емкость коллектора, время рассасывания и постоянная времени цепи обратной связи должны быть не больше прежних. Если транзистор предназначен для работы в первых каскадах высокочувствительного усилителя высокой или низкой частоты, коэффициент шума у нового транзистора должен быть не больше, чем у старого. Кремниевые транзисторы рекомендуется заменять только кремниевыми, германиевые — германиевыми. Однопереходные транзисторы заменяются однопереходными, биполярные — биполярными, МОП-транзисторы заменяются аналогичными.

При замене транзисторов транзисторами других типов может понадобиться подгонка режима нового транзистора в соответствии с особенностями его работы в данной конкретной схеме. Так, если транзистор используется в усилительном каскаде класса А, обычно подбирается такой режим, при котором напряжение на коллекторе примерно вдвое меньше напряжения питания. Если транзистор работает в ключевом каскаде, он обычно должен быть заперт по базе: либо потенциал базы равен потенциалу эмиттера, либо база более положительна для транзистора структуры р-п-р или отрицательна для транзистора структуры n-p-n относительно потенциала эмиттера. Соответствующий режим подбирается заменой резистора в цепи базы, через который на базу подается отпирающий или запирающий потенциал.

Качественные показатели ТВ канала

Приведем качественные показатели ТВ канала, которые могут быть измерены непосредственно в процессе...

читать далее

Полный цветовой телевизионный сигнал

Принцип передачи цветного изображения основан на теории трехкомпонентного цветового зрения, согласно которому многообразие природных...

читать далее

В составе полного видеосигнала на выходе УВС содержатся передаваемые телецентром импульсы синхронизации по строкам...

читать далее