• Главная
  • rss-лента сайта solo-project.com


Замена неисправного транзистора

Замена неисправного транзистора
При замене вышедшего из строя транзистора новым транзистором того же типа, как правило, также не появляется необходимости каких-либо дополнительных изменений. Часто имеется возможность установки транзистора того же типа, но с другим буквенным индексом. При этом нужно по справочнику сравнить их между собой, так как транзисторы с разными буквенными индексами могут различаться по разным параметрам: по значению граничной частоты или статического коэффициента передачи тока, по допустимым напряжениям коллектор-база и коллектор-эмиттер, а также по другим параметрам. Если найти транзистор того же типа нет возможности, иногда можно подобрать транзистор другого типа. Заменяющий транзистор, во-первых, должен относиться к той же группе, что и заменяемый. Например, малой мощности низкой частоты или большой мощности средней частоты. Затем подбирают транзистор той же структуры: р-п-р или п-р-п, полевой транзистор с p-каналом или n-каналом. Далее проверяют значения предельных параметров: максимального тока коллектора, максимальных напряжений коллектор-база и коллектор-эмиттер, максимальной мощности на коллекторе, которые у заменяющего транзистора должны быть не меньше, чем у заменяемого. Статический коэффициент передачи тока должен отличаться не более чем на 20%. У высокочастотных или сверхвысокочастотных транзисторов такие параметры, как емкость коллектора, время рассасывания и постоянная времени цепи обратной связи должны быть не больше прежних. Если транзистор предназначен для работы в первых каскадах высокочувствительного усилителя высокой или низкой частоты, коэффициент шума у нового транзистора должен быть не больше, чем у старого. Кремниевые транзисторы рекомендуется заменять только кремниевыми, германиевые — германиевыми. Однопереходные транзисторы заменяются однопереходными, биполярные — биполярными, МОП-транзисторы заменяются аналогичными.

При замене транзисторов транзисторами других типов может понадобиться подгонка режима нового транзистора в соответствии с особенностями его работы в данной конкретной схеме. Так, если транзистор используется в усилительном каскаде класса А, обычно подбирается такой режим, при котором напряжение на коллекторе примерно вдвое меньше напряжения питания. Если транзистор работает в ключевом каскаде, он обычно должен быть заперт по базе: либо потенциал базы равен потенциалу эмиттера, либо база более положительна для транзистора структуры р-п-р или отрицательна для транзистора структуры n-p-n относительно потенциала эмиттера. Соответствующий режим подбирается заменой резистора в цепи базы, через который на базу подается отпирающий или запирающий потенциал.

Влияние импульсных и флуктуационных помех

Влияние импульсных (непериодических) помех. Источники таких помех уже были рассмотрены. НЧ помехи, попадая в тракт...

читать далее

Изображение любых предметов всегда существует целиком. Как бы кратковременно мы ни посмотрели на эту страницу, мы увидим...

читать далее

Телевизионные приемники подразделяются по конструктивному исполнению также на две группы: стационарные телевизоры...

читать далее